目前最具發(fā)展?jié)摿Φ牟牧霞礊榫邆涓吖β始案哳l率特性的寬禁帶（Wide Band Gap；WBG）半導(dǎo)體，包含碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN），主要應(yīng)用大宗為電動(dòng)車、快充市場。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究推估，第三代功率半導(dǎo)體產(chǎn)值將從2021年的9.8億，至2025年將成長至47.1億，年復(fù)合成長率達(dá)48%。

SiC適合高功率應(yīng)用，如儲能、風(fēng)電、光伏、電動(dòng)車、新能源車等對電池系統(tǒng)具高度要求的產(chǎn)業(yè)。其中，電動(dòng)車備受市場關(guān)注，不過目前市售電動(dòng)車所搭載的功率半導(dǎo)體多數(shù)為硅基材料（Si base），如Si IGBT、Si MOSFET，但由于電動(dòng)車電池動(dòng)力系統(tǒng)逐步往800V以上的高電壓發(fā)展，相較于Si，SiC在高壓的系統(tǒng)中有更好的性能體現(xiàn)，有望逐步替代部分Si base設(shè)計(jì)，大幅提高汽車性能并優(yōu)化整車架構(gòu)，預(yù)估SiC功率半導(dǎo)體至2025年可達(dá)33.9億美元。

GaN適合高頻率應(yīng)用，包括通訊裝置，以及用于手機(jī)、平板、筆電的快充。相較于傳統(tǒng)快充，GaN快充擁有更大的功率密度，故充電速度更快，且體積更小便于攜帶，吸引不少OEM、ODM業(yè)者加入而開始高速發(fā)展，預(yù)估GaN功率半導(dǎo)體至2025年可達(dá)13.2億美元。

相較傳統(tǒng)Si base，第三代功率半導(dǎo)體襯底制造難度較高且成本較為昂貴，目前在各大襯底供應(yīng)商的開發(fā)下，包括Wolfspeed、II-VI、Qromis等業(yè)者陸續(xù)擴(kuò)增產(chǎn)能，并將在2022下半年量產(chǎn)8吋襯底，預(yù)期第三代功率半導(dǎo)體未來幾年產(chǎn)值仍有成長的空間。